Используя материал на основе углеродных нанотрубок, учёные из компании IBM создали самый миниатюрный в мире транзистор, размер которого не превышает 9 нм. Интересно, что предельный размер самого компактного полупроводникового транзистора на основе кремния не может преодолеть границу в 10 нм. По заявлению IBM, новая разработка потребляет меньше электроэнергии, позволяя работать с током большей силы по сравнению с современными аналогичными решениями.
По словам Джона Роджерса (John Rogers), профессора материаловедения Иллинойского университета в Урбане и Шампейне (University of Illinois at Urbana-Champaign), «полученные результаты подчёркивают важность использования нанотрубок для создания транзисторов наиболее сложного типа; эти результаты чётко указывают на то обстоятельство, что нанотрубки обладают потенциалом для создания продуктов, вполне способных соперничать с полупроводниковыми решениями либо дополнять их». В настоящее время минимальный размер полупроводниковых транзисторов промышленного класса составляет 22 нм.
Возможность преодолеть барьер в 10 нм, являющийся ограничивающим фактором для полупроводниковых транзисторов, которые служат основой для создания
компьютеров, потенциально позволяет 9-нанометровым транзисторам на основе углеродных нанотрубок продлить эксплуатационный ресурс стандартных видов электронного оборудования. Вот как прокомментировал ситуацию Аарон Франклин, (Aaron Franklin), сотрудник исследовательского центра IBM Watson Research Center в городе Йорктаун Хайтс, штат Нью-Йорк (США): «Если по своим возможностям нанотрубки не намного превосходят полупроводниковых собратьев, работа в данном направлении бесперспективна. Нам удалось создать транзисторы на основе углеродных нанотрубок с учётом крайней степени масштабирования размеров, показав их значительное превосходство над лучшими образцами устройств на базе полупроводниковых транзисторов». Между тем команда учёных столкнулась с определёнными трудностями, связанными с производством крупных партий углеродных нанотрубок, способных выполнять функцию полупроводникового материала.