HP и Hynix откладывают дебют мемристоров на рынке

   По словам директора лаборатории когнитивных систем компании HP Стена Уильямса (Stan Williams), коммерческое использование технологии мемристоров, находящейся в разработке специалистов HP с 2008 года, возможно не ранее 2013 года. Некоторое время назад господин Уильямс заявлял о том, что компании HP и Hynix (сейчас SK Hynix) планируют выпуск резистивной памяти как замены flash-памяти летом 2013 года. Этот срок был озвучен в ходе прошедшего в октябре 2011 года мероприятия International Electronics Forum, на котором HP заявила о твердотельных накопителях как одной из первых сфер применения мемристоров. В дискуссии под названием «Как устройства атомарного уровня преображают электронику» также приняли участие Майкл Саймонс (Michelle Simmons), директор Австралийского центра совершенствования технологий в области квантовых вычислений и средств связи, Университет Нового Южного Уэлса, и Пол Уайс (Paul Weiss), директор Калифорнийского института наносистем.

    «Что касается перевода технологии на коммерческие рельсы, то в этом отношении зрелые с технической точки зрения решения появятся к концу следующего года, – отметил глава лаборатории когнитивных систем HP, добавив, что временные рамки будут определяться в том числе с учётом фактора спроса. – Компания Hynix, наш партнёр и крупный игрок на рынке flash-памяти, планирует перестроить существующую структуру производства с заменой некоторых элементов производственного процесса flash-памяти на новую технологию. В этой связи существенную роль играют временные рамки, связанные с запуском на рынок мемристоров. В настоящее время гораздо больше средств тратится на понимание этого рынка и его моделирование, чем на любой научно-исследовательский проект в данной области». Стен Уильямс заметил, что исследования в области мемристоров по существу завершены, добавив: «Если вы знаете, что делаете (а здесь очень многое связано с вопросами интеллектуальной собственности), то буквально любой завод может хоть завтра начать производство мемристоров».

   Споры ведутся вокруг самой терминология резистивной памяти, что, возможно, связано с формулировками в патентах. Говоря о мемристорах, господин Уильямс имеет в виду элементы резистивной памяти, имеющие две точки подключения. Однако другие компании и научно-исследовательские институты также работаю над созданием аналогичных по функциональности устройств, зачастую имеющих сложную многослойную металлоокисную структуру. В этих случаях для обозначения резистивной памяти с произвольным доступом используются термины RRAM или ReRAM.