Samsung и SK Hynix приближают эру 20-нм чипов памяти

   Южнокорейская компания Samsung совместно с компанией SK Hynix достигли значительного прогресса в деле увеличения масштабов производства чипов памяти типа DRAM в соответствии с новыми 20-нанометровыми проектными нормами. Предпринятые усилия направлены на то, чтобы сделать 20-нм техпроцесс основной технологией 2013 года.
   
   Хотя обе компании уже начали массовое производство микросхем DRAM-памяти по 20-нм техпроцессу, основной на данный момент считается 30-нм технология. Ко 2-му полугодию этого года 20-нм класс уже может занять своё место на рынке. В условиях, когда в сегменте DRAM-памяти для ПК продолжает существовать избыток предложения, оба производители постепенно смещают фокус внимания с DRAM-памяти для персональных компьютеров на память для корпоративных систем и мобильных устройств.