Everspin дебютирует с новым форматом памяти ST-MRAM

Новейшей памятью для высокопроизводительных систем хранения данных, которая фактически позволит создать SSD накопители с производительностью уровня DDR3


Everspin Technologies возглавила индустрию хранения данных, поставив на коммерческие рельсы первую магнитно-резистивную память с передачей спинового вращательного момента ST-MRAM – нового типа высокопроизводительной памяти со сверхнизкой задержкой. Everspin Technologies надеется перевернуть архитектуру хранения данных и помочь рынку накопителей и систем хранения данных развиваться согласно закону Мура.



ST-MRAM – оптимизированный и производительный класс магнитной памяти, который подобно мосту соединит сегодняшнюю обычную память с требованиями систем хранения данных будущего, обеспечивая долговечность, способность сохранять данные при прекращении подачи электроэнергии и сверхнизкую задержу. Устройство ёмкостью 64Мб стало первым устройством в планах по выпуску ST-MRAM памяти компании Everspin, которая планирует добиться гигабитной плотности памяти с более высокой скоростью. Избранные заказчики сейчас оценивают образцы EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM от Everspin.

«Свойства памяти ST-MRAM чрезвычайно привлекательны для рынка промышленных SSD-накопителей, потому что она способна увеличить и дополнить технологию Flash-памяти» - говорит Джозеф Ансверф, вице-президент по исследованиям компании Gartner. «Коммерциализация этой технологии – важная веха для индустрии, которая продолжит распространение SSD в дата-центрах и компьютерной архитектуре»



Будучи первой полупроводниковой памятью, которая сочетает в себе скорость и долговечность DRAM и энергонезависимость Flash, ST-MRAM дает возможность создателям высокопроизводительных систем хранения данных достигнуть уровень сверхнизкой задержки, увеличить надежность и получить высочайший уровень надежности и защиты данных в случае отключения питания. Один из примеров возможного использования ST-MRAM – это область облачных систем хранения данных. Чем больше пользователей и контента будет в них добавлено, тем более быстрый доступ и более высокая плотность файлов необходима.

«От существующих технологий производства памяти требуют баланса между производительностью, энергопотреблением и надежностью, при уменьшении процессорной геометрии» - заявил Джефф Янукович, директор отдела исследования твердотельных накопителей и потенциальных технологий компании IDC.
«Коммерческое производство первого образца 64Мб Spin-Torque MRAM памяти это ключевая веха в истории индустрии систем хранения данных, которая прокладывает путь к расширению области применения разнообразных энергонезависимых типов памяти для повышения надежности и увеличения производительности устройств хранения данных»

Собственная технология передачи спинового вращательного момента компании Everspin использует характеристики направленности магнитного поля («спина») в качестве носителя информации о состоянии единичной ячейки. Информация хранится на энергонезависимых ячейках памяти, благодаря чему накопитель устойчив к износу и потере данных, связанной с Flash-технологией. EMD3D064M 64 Mb ST- MRAM совместим со стандартом JEDEC и создан для работы с интерфейсом DDR3, что обеспечивает 1.600.000.000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS), что в переводе на пропускную способность дает до 4.3Гбс с наносекундной задержкой. Продукт представлен в корпусе WBGA с интерфейсом стандарта DDR3.

«Информация переходит из просто умного слова в неоценимый предмет потребления. В сердце информационной революции лежит решение того, как хранить, поддерживать и управлять безопасностью, скоростью и эффективностью систем хранения данных. Наш первый ST-MRAM-продукт, возможно, выводит сегодняшние высокопроизводительные системы хранения данных на новую высоту» - говорит Фил ЛоПрести, президент и исполнительный директор Everspin Technologies.
«Мы сотрудничаем с избранными заказчиками, чтобы позволит им оценить преимущества Spin-Torque MRAM технологии как можно быстрее, и собрать отзывы, которые помогли бы нам окончательно довести до ума 64 Mb DDR3 ST-MRAM перед выпуском в массовое производство».

ST-MRAM предоставляет системным разработчикам преимущества устойчивых, высоконадежных систем хранения информации для приложений, требующих высокую надежность и увеличенную производительность стандарта DDR3. Объем накопителя MRAM в 64Мб является идеальной начальной точкой для энергонезависимого буфера и кэш-памяти в твердотельном накопителе и RAID-массиве, а также в иных устройствах хранения данных. 64-мегабайтовое устройство будет дополнять существующие недорогие технологии памяти, снижая общую стоимость и сложность системы.

Экосистема ST-MRAM
Everspin производит память ST-MRAM на своей 200мм производственной линии в Чандлере, штат Аризона, и сотрудничает с лидерами в индустрии памяти для создания 300мм MRAM-инструментов и дополнительных фабричных площадей. Everspin также работает с партнерами-разработчиками для обеспечения инструментами и поддержкой, чтобы как можно быстрее адаптировать ST-MRAM, путем создания необходимых контроллеров памяти, модулей памяти (DIMM) и оценки платформ.

Доступность
Компания Everspin поставляет функционирующие образцы EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST- MRAM выбранным заказчикам, а широкой публике технология будет представлена уже в 2013 году. Everspin предлагает энергонезависимые модули памяти ST-MRAM со случайным доступом в стандартной конфигурации, и совместимость с платформами PCIe FPGA позволяет заказчикам уже сейчас начать вести свои разработки в области нового типа памяти.