Toshiba начинает массовое производство NAND Flash памяти следующего поколения

   Toshiba Corporation объявила о разработке 19-нм технологии 2-го поколения, служащей основой для начала массового производства в этом месяце чипов NAND flash памяти объёмом 64 гигабита с возможностью хранения 2 бит данных в 1 ячейке как самых компактных решений своего класса площадью 94 кв. мм. Применение уникального высокоскоростного метода записи позволяет добиться скорости записи до 25 Мбайт/сек, что делает эти решения самыми быстрыми 2-битными чипами.

   Инженеры Toshiba также используют данную технологию в процессе разработки чипов памяти с возможностью хранения 3 бит на ячейку, планируя начать их массовое производство во 2-м квартале этого года. На первоначальном этапе планируется использовать 3-битные MLC (multi-level-cell) в смартфонах и планшетах посредством разработки контроллера с поддержкой eMMC- памяти. В дальнейшем, по мере создания котроллера для SSD, область применения чипов будет расширена за счёт включения ноутбуков.

   

   NAND flash память широко используется в самых разнообразных решениях потребительского класса, включая карты памяти, смартфоны, планшеты и ноутбуки. Кроме того, данный тип памяти находит всё более широкое применение в корпоративном сегменте, включая SSD для дата-центров. Работая на перспективу, компания Toshiba продолжит продвигать инновационные продукты как лидер рынка, своевременно реагирующий на широкий спектр запросов со стороны клиентов.