Память DDR4 нового поколения запущена в массовое производство. Герой дня - компания Samsung

   Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер на рынке современных решений в области памяти, объявила о массовом производстве памяти DDR4 для серверов в составе центров хранения и обработки данных. Внедрение высокопроизводительных модулей памяти стандарта DDR4 с повышенной плотностью хранения данных позволяет более чётко реагировать на потребность в памяти DDR4 динамично развивающегося рынка крупномасштабных проектов в сфере дата-центров и корпоративных систем. Ранняя доступность на рынке 4-гигабитных (Гбит) чипов DDR4, использующих 20-нанометровые проектные нормы, позволит создать спрос на модули памяти ёмкостью 16 и 32 гигабайта (Гб) – в противоположность широко используемым в настоящее время планками памяти на 8 Гб, производимых с применением 30-нм техпроцесса.

   «Внедрение в этом году сверхбыстрой памяти DDR4 в серверных системах следующего поколения послужит толчком к распространению современной высокотехнологичной премиальной памяти во всём сегменте корпоративных систем, – заявил Ян Хун Юн (Young-Hyun Jun), исполнительный вице-президент департамента маркетинга и продаж продуктов памяти компании Samsung Electronics. – Своевременно поставив в этом году передовые 16-Гб модули памяти DDR3, мы продолжаем отслеживать премиальный сегмент серверного рынка, смещая фокус внимания в сторону более производительных планок памяти DDR4 объёмом 32 Гб с более плотным размещением данных. Мы также продолжаем вносить свою лепту в усиление роли IT-рынка на базе зелёных технологий в 2014 году».

   

   Применение более скоростной памяти DRAM в серверных системах корпоративного класса следующего поколения повышает уровень производительности, способствуя существенному снижению общих энергозатрат. Раннее внедрение стандарта DDR4 позволит производителям готовых решений минимизировать операционные расходы и максимально поднять производительность для повышения рентабельности инвестиционных проектов.

   Производство компанией Samsung 20-нм чипов памяти DDR4 объёмом 4 гигабита является логическим этапом эволюционного развития после появления в 2008 году 50-нм чипов DDR3 объёмом 2 Гб, что позволяет говорить о полноценном переходе к стандарту DDR4 в сегменте крупномасштабных дата-центров и других корпоративных применений по прошествии всего 5 лет. Модули памяти DDR4 на базе 4-гигабитных чипов демонстрируют самую высокую скорость передачи данных, равную 2667 Мбит/с, что в 1,25 раза превышает аналогичный показатель для 20-нм планок DDR3, обладая на 30% меньшим энергопотреблением. Создание 20-нм памяти DRAM на базе самых компактных и быстрых в мире 4-гигабитных микросхем памяти позволило компании Samsung разработать самое обширное в отрасли семейство продуктов, ориентированных на целый спектр применений, от серверных компьютеров до мобильных устройств. Благодаря этому потребители во всём мире получат доступ к широчайшему спектру высокотехнологичных, энергоэффективных, высокопроизводительных решений в области памяти с использованием зелёных технологий.

   Южнокорейская компания Samsung продолжает демонстрировать приверженность принцам, определяющим направление развития в области устройств памяти следующего поколения. Инновационный подход к процессу технологического развития на базе принципа «СРС» («системы, решения, софт») послужит основой для дальнейшего укрепления зелёной стратегии Samsung на рынке памяти.