SK Hynix приступила к полномасштабному массовому производству 16-нм NAND Flash памяти

   SK Hynix Inc. объявила о начале полномасштабного массового производства микросхем NAND Flash памяти типа MLC (Multi Level Cell) ёмкостью 64 Гбит (гигабита) в рамках норм проектирования 16 нанометров – самого «тонкого» техпроцесса на сегодняшний день. Массовое производство 1-й версии данных чипов SK Hynix начала ещё в июне и недавно перешла к выпуску микросхем 2-й версии – экономически более эффективных благодаря меньшему размеру чипа. Этот шаг позволил компании усилить конкурентоспособность на рынке NAND Flash памяти. Также SK Hynix разработала 128-гигабитные (16-гигабайтные) чипы на базе многоуровневых ячеек (MLC) – это микросхемы с самой высокой плотностью хранения данных для одного MLC-чипа в рамках технических характеристик (включая ресурс), типичных для 16-нм 64-гигабитных MLC-чипов. Массовый выпуск данной продукции запланирован на начало следующего года.

   

   Хотя обычно миниатюризация технологии вызывает усиление эффекта негативного взаимовлияния соседних ячеек Flash памяти, SK Hynix использует современную технологию Air-Gap, позволяющую преодолеть данное препятствие за счёт использования изолирующего слоя на основе вакуумных дыр (vacuum holes) между цепями без изолирующих материалов. SK Hynix намерена усилить конкурентные позиции на рынке NAND Flash памяти, ускоряя развитие технологий в сегментах TLC (Triple Level Cell) и 3D NAND Flash.

   «Разработка и запуск в массовое производство решений на базе самой «тонкой» в отрасли 16-нм технологии послужили предпосылкой для создания линейки NAND Flash чипов повышенной ёмкости – 16-нм микросхем MLC ёмкостью 128 Гбит, – сказал старший вице-президент и глава департамента флеш-памяти SK Hynix Джин Вун Ким (Jin Woong Kim). – Мы намерены и дальше чутко реагировать на запросы клиентов касательно продуктов NAND Flash памяти с повышенной надёжностью и ресурсом».