Компании AMD и SK Hynix объявили о совместной разработке высокопроизводительных HBM (high-bandwidth memory) 3D модулей памяти и устройств на их основе.
AMD возлагает свои надежды на
APU – процессоры со встроенным графическим ядром. Такие процессоры позволяют использовать площадь кристалла более эффективно и потребляют при этом меньше энергии. С другой стороны, для быстрой работы APU необходима большая пропускная способность памяти. Другими словами, даже недорогие APU получат бонус в производительности при использовании быстрых модулей памяти. Ходили слухи даже о применении GDDR5 модулей, которые пока не подтвердились для процессоров Kaveri.
3D память будет обладать большей пропускной способностью и физически меньшими размерами, по сравнению с GDDR5. Новая память разработана в основном для графических приложений, при этом ее можно использовать в качестве оперативной или видео памяти. Благодаря применению технологий Wide I/O и TSV, 3D память будет обладать пропускной способностью на уровне от 128 Гб/с до 256 Гб/с. Массовое производство такой памяти планируют начать в 2015 году.
Такая большая пропускная способность актуальна для видеокарт, по крайней мере сейчас. Ожидается, что Nvidia и AMD будут использовать 3D память в своих
видеокартах, основанных на 20 нм техпроцессе, хотя не обязательно в первом поколении. Пока неясно, когда именно AMD сможет применить эту технологию для своих
APU. Дело в том, что массовые продукты основаны на стандартных компонентах, а значит, технология должна пройти долгий путь внедрения в массовое производство.
Подождите...