Samsung начала массовое производство 4-Гбит чипов памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

   Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер на рынке памяти, объявила о начале массового производства самой современной в категории DDR3 памяти на базе норм проектирования класса 20 нанометров для использования в широком спектре компьютерных применений. В производстве 20-нанометровых чипов памяти DDR3 объёмом 4 Гигабита (Гбит) компания Samsung улучшила возможности масштабирования DRAM-памяти, использовав существующую технологию иммерсионной литографии с применением аргон-фторового лазера (immersion ArF lithography).

   Память типа DRAM, предполагающая использование ячейкой связки из конденсатора с транзистором, хуже масштабируется в сравнении с NAND Flash памятью, где ячейке требуется один транзистор. Для обеспечения дальнейших возможностей масштабирования DRAM-памяти Samsung усовершенствовала технологии проектирования и производства, воспользовавшись доработанными технологиями двойного шаблона (double patterning) и атомно-слоевого осаждения (atomic layer deposition).

   

   Дополненная инженерами Samsung технология двойного шаблона ознаменовала новую веху в развитии научно-технической мысли благодаря возможности производства 20-нм памяти DDR3 с использованием существующих линий фотолитографии параллельно с созданием базовых технологических принципов в производстве DRAM-памяти следующего поколения в рамках проектных норм 10 нанометров. Кроме того, инженерам Samsung удалось добиться беспрецедентной однородности нанесения диэлектрических плёнок конденсаторов, обеспечив повышение эффективности работы ячеек памяти. Использование данных технологических решений в производстве 20-нм DRAM-памяти DDR3 также позволило повысить выработку продукции более чем на 30% в сравнении с 25-нм памятью DDR3 и более чем на 100% в сравнении с DDR3 класса 30 нм. Кроме того, модули памяти на базе новейших 4-Гбит чипов 20-нм чипов DDR3 позволяют сэкономить до 25% электроэнергии в сравнении с аналогами на базе 25-нм микросхем памяти предыдущего поколения. Достигнутые улучшения служат основой для поставки на глобальный рынок самых современных в отрасли, экологичных IT-решений. По данным аналитиков Gartner, в этом году рост глобального рынка DRAM-памяти составит $2,3 млрд, показав подъём с $35,6 млрд в 2013 году до $37,9 млрд в 2014 году.

   «Новая энергоэффективная память Samsung DDR3 DRAM класса 20 нм получит стремительное распространение в IT-индустрии, включая персональные компьютеры и мобильный рынок, быстро завоевав статус массового продукта, – говорит Янг Юн Хун (Young-Hyun Jun), исполнительный вице-президент Samsung Electronics по продажам и маркетингу. – Опережая конкурентов, мы продолжим предпринимать шаги для поставки на рынок экологичных решений в области DRAM-памяти следующего поколения, способствуя развитию глобального IT-рынка в тесном сотрудничестве с нашими основными партнёрами».