TSMC внедряет техпроцесс 16 nm FinFET+

   Очевидно, в стремлении составить конкуренцию 14-нм технологиям Intel и Samsung компания TSMC планирует пополнить арсенал используемых техпроцессов за счёт двух новых технологий класса 16 нанометров.

Обычный планарный (2D) транзистор при нахождении в открытом состоянии образует токопроводящий канал в расположенной под затвором области из полупроводникового материала (кремния). Tri-Gate транзистор (3D) образует токопроводящие каналы с трёх сторон вертикального плавника, способствуя полному освобождению хранимого электрического заряда.

   Техпроцесс TSMC 16 nm FinFET не первый день фигурирует в дорожной карте TSMC, и его готовность к запуску в в масштабе производства датируется концом 2014 года. Однако новый техпроцесс FinFET+, как ожидается, стартует в начале 2015 года после прохождения испытательного этапа, намеченного на конец 2014 года. Но это ещё не всё: технология 16 nm FinFET в более совершенном варианте появится в конце 2015-го – начале 2016-го годов. По данным сайта Digitimes, усовершенствованный техпроцесс получит название 16 nm FinFET Turbo и станет привлекательным вариантом для желающих перейти с 20-нм технологии к более тонким проектным нормам.