SK Hynix создала первый в мире модуль DDR4 объёмом 128 Гб с максимальной плотностью хранения данных

   Компания SK Hynix Inc. объявила о разработке первого в мире модуля памяти объёмом 128 Гб (гигабайт) на базе чипов памяти DDR4 класса 20 нанометров объёмом 8 Гбит (гигабит). Применение технологии TSV (Through Silicon Via) позволило удвоить плотность хранения данных в сравнении с существующими 64-гигабитными модулями. Используя ультранизкое напряжение питания – 1,2 Вольта против 1,35 Вольта в современных модулях DDR3 – память работает на частоте 2133 МГц и за счёт 64-битного интерфейса обеспечивает передачу 17 гигабайт данных в секунду.

   SK Hynix намерена и в дальнейшем удерживать лидирующие позиции в сегменте DRAM-памяти для серверов, представив образцы первых в мире 128-Гб и 64-Гб модулей на базе 8-гигабитных чипов DDR4. Старт массового производства намечен на первое полугодие 2015 года.

   

   «Создание первого в мире 128-гигабайтного модуля DDR4 имеет большое значение с точки зрения открытия нового сегмента серверного рынка с ультраплотной компоновкой, – говорит старший вице-президент и глава департамента DRAM-памяти SK Hynix Сунг Джо Хонг (Sung Joo Hong). – Мы продолжим улучшать конкурентоспособность на рынке DRAM-памяти премиум класса за счёт выпуска потребительских продуктов с ультравысоким быстродействием, повышенной плотностью хранения данных и низким энергопотреблением».

   По прогнозам аналитиков Gartner, в связи с развитием рынка мобильных устройств годовые темпы роста серверной памяти типа DRAM в период до 2018 года составят 37%. Также в этом году ожидается прохождение новым интерфейсом DDR4 сертификации с предполагаемым выпуском в промышленных масштабах на регулярной основе с 2015 года. Становление DDR4 в качестве основного отраслевого стандарта ожидается с 2016 года.