Toshiba и SanDisk расширяют производство современной флеш-памяти

   В понедельник, 8 сентября, компании Toshiba Corporation и SanDisk Corporation отметили начало второго этапа завершающей стадии строительства фабрики №5 (Fab 5) по производству полупроводниковой продукции и начало строительства новой фабрики №2 (Fab 2) в промзоне Yokkaichi Operations, расположенной на территории фабричного комплекса компании Toshiba по производству NAND Flash памяти в японской префектуре Миэ.

   Старт второго этапа начальной фазы строительства предприятия Fab 5 приходится на август 2013-го года, при этом с июля текущего года под контролем инженеров Toshiba и SanDisk осуществляется монтаж оборудования в возведённом комплексе. Производство продукции в рамках 2-го этапа стартовало в начале сентября с применением техпроцесса 15 nm NAND flash – самой «тонкой» и продвинутой технологии. Toshiba и SanDisk объявили о развёртывании этой технологии, явившейся результатом совместных усилий инженеров компаний, в апреле текущего года с частичным стартом начальной стадии производственного процесса на заводе Fab 5 в рамках 1-го этапа реализации проекта параллельно с осуществляемым в настоящее время переводом оставшихся в рамках 1-го этапа производственных мощностей на новые технологические рельсы.

   

   Строительство нового предприятия Fab 2 имеет целью создание производственных площадей для переориентации существующих 2D NAND мощностей в русло технологии 3D NAND с ожидаемой готовностью к старту производственного процесса в 2016 году. Toshiba и SanDisk намерены совместными усилиями провести монтаж оборудования с последующим определением целевых показателей по использованию мощностей и объёмам выпускаемой продукции на основе тщательного мониторинга рыночной ситуации.

   Ясуо Наруке (Yasuo Naruke), корпоративный исполнительный вице-президент Toshiba Corporation, президент и главный исполнительный директор Semiconductor & Storage Products Company, отметил: «Стремление к развитию передовых технологий подчёркивает нашу приверженность принципам чёткого реагирования на растущий спрос в сегменте NAND flash памяти. Уверены: наше совместное предприятие позволит выпускать конкурентоспособную продукцию в области памяти следующего поколения на базе комплекса в городе Йоккаити».

   «С чувством глубокого удовлетворения мы наблюдаем дальнейшее углубление сотрудничества SanDisk с Toshiba и расширение партнёрских отношений, поддерживаемых на протяжении более десятка лет, в рамках комплекса в городе Йоккаити, префектура Миэ. Предприятия Fab 5 и Fab 2 позволят обеспечить необходимый метраж чистых комнат для перевода установленного оборудования по производству NAND-памяти в новую технологическую плоскость», – прокомментировал ситуацию президент и главный исполнительный директор SanDisk Санджай Меротра (Sanjay Mehrotra).

   

   В долгосрочной перспективе Toshiba и SanDisk прогнозируют рост спроса на память NAND flash, особенно для смартфонов, планшетов и твердотельных накопителей (SSD). Оба игрока рынка продолжат движение в направлении повышения конкурентоспособности и усиления лидерских рыночных позиций путём разработки и производства современных решений в области флеш-памяти.


Предприятие Fab 5 в составе комплекса Yokkaichi Operations:

• Конструкция: 2-ярусное 5-этажное здание из железобетона
• Площадь застройки: ~38000 кв.м
• Начало строительства: 1-й этап – июль 2010 г.; 2-й этап – август 2013 г.
• Завершение строительства: 1-й этап – июль 2011 г.; 2-й этап – сентябрь 2014

Предприятие Fab 2 в составе комплекса Yokkaichi Operations:

• Конструкция: 2-ярусное 5-этажное здание из железобетона
• Площадь застройки: ~27300 кв.м