Samsung начинает массовый выпуск первой в отрасли флеш-памяти 3-bit 3D V-NAND

    Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в области современных технологий памяти, даёт старт массовому производству первых в отрасли микросхем флеш-памяти 3D V-NAND (Vertical NAND) на базе многоуровневых ячеек (MLC – Multi Level Cell) с возможностью хранения 3 бит данных в ячейке для использования в производстве твердотельных накопителей (SSD – Solid State Drive).

    «Появление совершенно новой линейки SSD повышенной ёмкости, учитывающей потребности и в части быстродействия, и в плане цены, позволит, на наш взгляд, ускорить переход от жёстких дисков к твердотельным накопителям за счёт внедрения технологии 3-bit V-NAND, – сказал Джейсу Хан (Jaesoo Han), старший вице-президент департамента продаж и маркетинга продуктов памяти Samsung Electronics. – Пополнение ассортимента SSD положительно скажется на конкурентоспособности нашей продукции по мере расширения нашего быстро растущего бизнеса в сегменте SSD».

   

    3-bit V-NAND, новейшая технология Samsung 2-го поколения класса V-NAND, использует 32-слойную вертикально интегрированную структуру ячеек в составе каждой микросхемы памяти, позволяющей хранить 128 Гигабит информации. В структуре V-NAND каждая ячейка электрически связана с непроводящим слоем посредством технологии CTF (Charge Trap Flash), а каждый массив ячеек размещён послойно, один над другим, с формированием чипа на базе нескольких миллиардов ячеек памяти. Такая 32-слойная структура с возможностью хранения 3 бит на ячейку позволяет резко повысить эффективность процесса производства памяти: так, в сравнении планарной 3-битной технологией Samsung класса 10 нанометров технология 3-bit V-NAND позволила более чем вдвое увеличить выработку кремниевых пластин.

    Технологию Samsung V-NAND 1-го поколения (24 слоя) внедрили в августе 2013-го года, а Samsung V-NAND 2-го поколения (32 слоя) – спустя менее года, в мае 2014-го. Старт технологии 3-bit V-NAND 2-го поколения позволил Samsung занять лидирующие позиции в сегменте 3D-памяти, придав ускорение процессу эволюции технологии V-NAND. Выпуск в 2012 году первого SSD Samsung с планарной технологией 3-bit NAND Flash подтвердил наличие массового спроса на ёмкие SSD-накопители c технологией 3-bit NAND. Выход первого в отрасли устройства на базе 3-bit 3D V-NAND значительно активизирует внедрение памяти V-NAND с охватом SSD для обычных персональных компьютеров, помимо возможности достойного ответа на потребность рынка в накопителях с повышенным ресурсом для большинства современных серверов.