С 06.10.14 по 10.10.14 в Звенигороде прошла очередная международная конференция по микро- и наноэлектронике ICMNE-2014. Среди участников конференции были не только представители научно-исследовательских институтов России, Японии, Белоруссии и Франции, но и коммерческие организации, такие как Микрон, компьютерная компания НИКС, SemiTEq, ROHDE&SCHWARZ, TechnoInfo.
Как и
в прошлом году, компьютерная компания НИКС была не только спонсором мероприятия, но и участником. Леонид Федичкин, заместитель директора по науке НИКС, руководитель научно-исследовательской лаборатории компании, выступил с докладом «Continuous-time fermionic quantum walks» («Непрерывное квантовое блуждание электронов в квантовых точках»), с которым подробно вы можете ознакомиться
здесь.
Данная работа, выполненная совместно с ИФТ РАН и МФТИ, пополнила список фундаментальных исследований по изучению электронного транспорта в наноразмерных структурах, проведенных при
всесторонней поддержке компьютерной компании НИКС.
Микро- и наноэлектроника неспроста вызывает повышенный интерес от производителей «железа». Дело в том, что технология производства современных полупроводниковых устройств подошла к своему
теоретическому пределу, и производительность вычислительных систем не может более наращиваться за счет миниатюризации элементов, из которых они состоят. Одним из вариантов решения проблемы недостаточной мощности вычислительных систем является создание
квантового компьютера. Несмотря на то, что действующего прототипа на данный момент не существует,
алгоритм, на котором он работает, уже создан и для полной реализации идеи не хватает только элементной базы, над созданием которой и работают участники ICMNE-2014. Среди работ, посвящённых созданию микро- и наноэлектроники нового поколения, отдел нанотехнологий фирмы НИКС обратил внимание на вот эти доклады:
1) «Electrical properties of ALD HfO2 (EOT 0.47 нм)» - о свойствах сверхтонкого слоя оксида гафния толщиной в 1-1.5 нанометра на слое кремния, вытравленного плавиковой кислотой HF;
2) «Noise properties of SET transistor made from highly doped SOI» - посвящена низко шумовым одноэлектронным транзисторам, необходимым для создания сверхчувствительных сенсоров для сканирующих зондовых систем с разрешением на уровне нанометров.
Мы сердечно желаем участникам конференции скорейшего воплощения их грандиозных идей в жизнь и получения признания от современников в виде Нобелевской премии! Успехов вам, учёные!
Подождите...