Qualcomm работает над SoC Snapdragon 815. Новая версия мобильного чипа должна стать «холоднее» производящегося сейчас 810-го.
Внутренние тесты компании показывают, что устройство с FullHD экраном 5” и 3 Гб оперативной памяти на разрабатываемом процессоре нагревается до 38 градусов Цельсия, а аналогичное на 801-ом или 810-ом – до 42 градусов. Тестовый смартфон не оборудован радиомодулями и антеннами, поэтому реальные результаты могут отличаться в большую сторону.
Отзывы об эксплуатации HTC One M9 показывают, что ситуация с нагревом текущего поколения SoC достаточно серьёзная – во время тестирования бенчмарками телефон на 810-ом нагревается до 55,4 градусов.