Micron Technology объявила о преодолении рубежа в 20 нм в производстве чипов DRAM
памяти. Технология всё ещё в разработке, но первые тестовые образцы уже получены на заводе в Хиросиме.
Компания не раскрыла точное значение техпроцесса, но, предположительно, он находится в пределах от 16 до 19 нм. Новая технология позволит снизить энергопотребление и себестоимость, а также повысить рабочую частоту модулей.
Micron перешла на 20 нм в четвёртом квартале 2014-го, и сейчас выработка годных чипов намного превысила плановую. Ожидается, что массовое производство новой 1х нм памяти начнётся во второй половине 2016.