Samsung торжественно обещает начать выпуск 10-нм чипов в следующем году

   На прошлой неделе Samsung Electronics заявила о намерении начать массовый выпуск 10-наномтеровой полупроводниковой продукции к концу следующего года. Представители компании впервые показали кремниевую пластину, полученную с использованием норм проектирования 10 нм.

   Samsung не стала вдаваться в детали относительно техпроцесса 10nm, заявив лишь о продолжении использования транзисторов типа FinFET (fin-shaped field-effect transistor – полевой транзистор с вертикальным плавником). Как сообщает EETimes.com, предложенная Samsung технология производства сулит «серьёзные преимущества в плане энергопотребления, площади кристалла и производительности». Она, по словам ресурса semimd.com, рассчитана на широкий спектр применений, от бытовой электроники и мобильных устройств до компьютеров, сетевых решений и инфраструктурных проектов в сфере дата-центров.

   

   Показ 300-миллиметровой пластины говорит о высокой степени готовности спецификации на 10-нм техпроцесс. Предварительные комплекты средств проектирования 10-нм чипов уже, вероятно, полностью готовы, и выхода первых продуктов на этапе tape out можно ожидать в конце 2015-го. О возможности использования разных вариантов 10-нм технологии ничего не сообщается.

   Директор агентства Международных бизнес-стратегий (International Business Strategies) Хандель Джонс (Handel Jones) говорит, что ключевым клиентом Samsung Foundry с её 10-нм чипами будет корпорация Apple. Если Samsung начнёт массовый выпуск 10-нм процессоров в конце 2016-го, Apple сможет начать производство однокристальных систем (SoС – system-on-chip) для своих смартфонов и планшетов 2017-го года. При объёме заказов ни много ни мало 40 тысяч пластин в месяц Apple окажет серьёзную поддержку предприятию в деле загрузки мощностей.