На фоне множества сообщений о проблемах с нагревом high-end чипа Qualcomm Snapdragon 810 эта неприятность, похоже, останется в прошлом с выходом Snapdragon 820 следующего поколения. Источники в отрасли сообщают на страницах сайта Mobile-Dad, что 820-й Snapdragon использует техпроцесс 14 nm FinFET и производится на заводах Samsung. Здесь используемые в прошлом ARM-ядра Qualcomm уступили место адаптированным 64-битным ядрам Kryo.
Применение технологии 14 nm FinFET обеспечивает снижение нагрева и энергопотребления в сравнении с предшественником. В линейку этих новых процессоров с ядрами Kryo также входит модель Snapdragon 620, однако более быстрый Snapdragon 820 может достичь максимальной частоты в 3 ГГц и даже, возможно, одержать верх по скорости и нагреву над Samsung Exynos 7420 в смартфоне
Galaxy S6. Однако это утверждение требует проверки на примере «живого» устройства.
Хотя на рынке пока нет устройств на базе Snapdragon 820, компании HTC, Sony и Xiaomi в числе первых уже проводят его тестирование. Релиз флагмана Xiaomi следующего поколения под названием Mi 5 на базе Snapdragon 820 ожидают в октябре.
Подождите...