В планах Intel – выпуск чипов Broadwell-E, преемников high-end
процессоров Haswell-E. Производство Broadwell-E стартует в январе 2016-го с последующим выпуском до конца 1-го квартала (возможно, до конца марта). Intel поделилась некоторыми деталями со своими партнёрами, но полной картины пока нет.
Нас ждёт линейка новых high-end
процессоров Intel в версиях с 6-ю и 8-ю ядрами. 8-ядерники получат кэш Intel Smart Cache объёмом до 20 Мб и технологию Turbo Boost 2. По традиции, в арсенале Broadwell-E будет технология Hyperthreading плюс разгонный потенциал в моделях Extreme Edition с суффиксами “X” и “K”. Эти чипы Intel относит к линейке HEDT (High End DeskTop). Заявлены поддержка 4-канальной памяти DDR4 на частоте 2400 МГц, по одному DIMM-модулю на канал, а также рост производительности в сравнении с предыдущим поколением.
Материнские платы с совместимым чипсетом получат поддержку до 40 линий PCIe 3.0 в конфигурации «2 слота 16х + 1 слот 8х». И для 6-ядерников, и для 8-ядерников рассеиваемая мощность (TDP) составит 140 Вт. Intel предупреждает: сокет LGA 2011-3 Revision 3 не будет совместим с чипами предыдущего поколения. Открытым остаётся вопрос о возможности ставить CPU Broadwell-E в сегодняшние платы за счёт обновления BIOS.
До запуска на рынок этих процессоров класса HEDT планируется выпуск 2- и 4-ядерников
Skylake-S с TDP 35 Вт и 65 Вт, а в high end версиях – с TDP 95 Вт. Это случится в конце 3-го квартала 2015-го года для некоторых позиций и в 4-м квартале 2016-го – для большинства из них.