Каталог
ZV
ездный б-р, 19
+7 (495) 974-3333 +7 (495) 974-3333 Выбрать город: Москва
Подождите...
Получить токен
Соединиться
X
Сюда
Туда
x
Не выбрано товаров для сравнения
x
Корзина пуста
Итого: 
Оформить заказ
Сохранить заказ
Открыть корзину
Калькуляция
Очистить корзину
x
Главная
Магазины
Каталог
Мои заказы
Корзина
Магазины Доставка по РФ
Город
Область
Ваш город - ?
От выбранного города зависят цены, наличие товара и
способы доставки

Понедельник, 12 сентября 2016 14:27

Компания Globalfoundaries анонсировала 12 нм FD-SOI полупроводниковую технологию

короткая ссылка на новость:

Корпорация GLOBALFOUNDARIES сегодня анонсировала новую 12 нм FD-SOI полупроводниковую технологию. Основанная на успешной платформе 22FDXTM, 12FDXTM создана для широкого применения в интеллектуальных системах завтрашнего дня, начиная с технологии 5G и заканчивая искусственным интеллектом и автономным транспортом.

Мир становится все более пронизанным миллиардами мобильных устройств, новое программное обеспечение требует перехода на более современные полупроводниковые технологии. Микропроцессоры, благодаря которым функционируют эти приложения, развиваются в мини-системы, в состав которых входят интеллектуальные компоненты, включая беспроводную передачу данных, энергонезависимую память и средства управления питанием. Технология 12FDX обладает гибкими возможностями по интеграции новых компонентов в систему.

12FDX задает новые стандарты системной интеграции, совмещая источники электромагнитных колебаний, встроенную память и продвинутую «логику» в одном чипе. Технология также обладает широчайшим диапазоном возможных напряжений и программно-управляемыми транзисторами, обеспечивающими высокую производительность и гибко меняющими потребляемую мощность для увеличения энергоэффективности.

“Некоторые приложения требуют большей производительности FinFET транзисторов, но большинство мобильных устройств нуждается в высоких уровнях интеграции и меньшем энергопотреблении, при сопоставимой с FinFET стоимости”, - рассказывает директор компании GLOBALFOUNDARIES, Санджей Джа (Sanjay Jha).

12FDX производится на 12 нм техпроцессе с использованием технологии FD-SOI и опережает 10 нм FinFET по энергоэффективности при сопоставимой скорости работы. Стоимость 12FDX ниже, чем 16 нм FinFET.

“Среди нынешних чипов нет решений, удовлетворяющих все сегменты рынка. В то время, как технология FinFET подходит для высокопроизводительных систем, индустрии недостает бюджетных предложений для мобильных устройств и устройств интернета вещей”, - сказал Лайнли Гвеннап (Linley Gwennap), основатель Linley Group: “Технологии 22FDX и 12FDX удовлетворяют эту потребность рынка, предлагая энергоэффективные решения без увеличения стоимости ядра.”

“Когда вышла платформа 22FDX от GLOBALFOUNDARIES, я распознал в технологии большой потенциал. Платформа подойдет всем компаниям, которые ищут недорогой способ увеличения производительности своих систем”, - сказал Дэн Хатчесон (Dan Hutcheson), председатель VLSI Research.

Фабрика компании GLOBALFOUNDARIES, которая находится в Дрездене, сейчас переоснащается для начала производства продукции на платформе 12FDX. Старт производства намечен на первую половину 2019 года.

Источник: www.techpowerup.com

подписаться   |   обсудить в ВК   |