Samsung запускает HBM2E "Flashbolt" – третье поколение памяти HBM

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области продвинутых технологий памяти, анонсировала выпуск памяти HBM2E "Flashbolt", которая относится к третьему поколению памяти с высокой пропускной способностью (High Bandwidth Memory, HBM). 16-гигабайтные стеки новой памяти HBM2E прекрасно подходят для максимизации эффективности высокопроизводительных вычислительных систем (HPC) и должны помочь производителям таких систем идти в ногу со временем в части совершенствования суперкомпьютеров, передовых графических систем и систем, в которых для анализа данных используется ИИ.

"Выпуская DRAM с максимальной доступной на сегодняшний день производительностью, мы делаем решительный шаг, направленный на укрепление нашего реноме лидера по инновациям в быстрорастущем сегменте памяти премиум-класса," – сказал Чеоль Чой (Cheol Choi), исполнительный вице-президент подразделения Memory Sales & Marketing корпорации Samsung Electronics. "Samsung продолжит выполнять взятые на себя обязательства по обеспечению мирового рынка памяти специализированными решениями, что дополнительно усилит наши позиции."

Новая память Flashbolt предлагает не только вдвое большую емкость по сравнению с предыдущим поколением HBM2 "Aquabolt" (16 ГБ vs. 8 ГБ), но также намного более высокую скорость и энергетическую эффективность, что позволит существенно повысить производительность вычислительных систем следующего поколения. Емкость 16 ГБ достигается путем укладывания 16-гигабитных чипов DRAM класса 10 нм (1y) в вертикальную стопку в восемь слоев поверх буферного чипа. Такая компоновка HBM2E базируется на точной архитектуре внутренних соединений, которая включает в себя более 40000 микроконтактов, выполненных по технологии сквозных отверстий TSV (Through-hole Silicon Via); каждый 16-гигабитный чип содержит свыше 5600 таких микроскопических отверстий.

Используя проприетарную электрическую схему передачи сигнала, память Samsung Flashbolt с высокой надежностью обеспечивает скорость передачи данных 3.2 Гбит/с, а общая пропускная способность стека составляет 410 ГБ/с. Более того, как показывают результаты тестов, максимальная скорость передачи данных у Samsung HBM2E может достигать 4.2 Гбит/с; таким образом, в некоторых будущих приложениях может быть обеспечена пропускная способность стека 538 ГБ/с. Это в 1.75 раза больше, чем у Aquabolt (307 ГБ/с).

Samsung планирует начать массовое производство новой памяти в первой половине текущего года. При этом компания продолжит выпуск линейки Aquabolt 2-го поколения, которую дополнят предложения Flashbolt 3-го поколения, а также продолжит развивать сотрудничество с производителями вычислительных систем нового поколения, что будет способствовать росту популярности HBM-решений в премиум-сегменте рынка памяти.