Российские и белорусские производители полупроводниковой техники достигли значительных успехов в развитии собственных технологий изготовления чипов. В сотрудничестве с белорусской фирмой «Планар» Зеленоградский нанотехнологический центр (АО «ЗНТЦ») разработал новую систему литографии, которая обеспечивает техпроцесс 350 нм на 8-дюймовых (200 мм) кремниевых вафлях. Это разработка является стратегическим ответом на западные санкции, которые существенно ограничивают доступ России к высокотехнологичному оборудованию для полупроводникового производства.
Система использует твердотельный лазер для проецирования электрических цепей на фоторезистивное покрытие вафли с помощью фотомаски, которая определяет рисунок этих цепей. После выборочного экспонирования фоторезистивное покрытие подвергается химической обработке, в результате которой формируются структуры электрической микросхемы. Хотя техпроцесс 350 нм является важнейшим достижением для отечественного полупроводникового производства, от современных техпроцессов для высокопроизводительной вычислительной техники он отстает почти на тридцать лет.
Эта технология сопоставима с той, на которой базировались процессоры Intel Pentium II конца 1990-х годов. Несмотря на такое технологическое отставание, новое оборудование сможет обеспечивать производство различных электронных компонентов для пользовательских устройств и некоторых областей военного применения, где не требуется сверхпроизводительность. В планах ЗНТЦ уже значится разработка более продвинутой литографической системы для техпроцесса 130 нм, которую планируют запустить к 2026 году в рамках государственной программы усиления отечественной полупроводниковой отрасли. Хотя эта литографическая система не сможет обеспечить техпроцессы 3-5 нм, которые сегодня используют лидеры мировой полупроводниковой отрасли, она закладывает фундамент для отечественной инфраструктуры полупроводникового производства, особенно в плане отлаженности техпроцессов. Успех на этом промежуточном этапе, вероятно, повлияет на приоритеты государственного финансирования, поскольку страна будет пытаться в ближайшие годы сократить свое технологическое отставание от западных лидеров полупроводниковой отрасли.