Компания Seiko Epson сообщила, что она разработала первый в мире гибкий модуль памяти TFT-SRAM. Для изготовления такого модуля используется специальная технология, которая позволяет интегрировать все необходимые электронные цепи на гибкую пластиковую подложку.
TFT-SRAM имеет объём 16 Кбит и может работать при напряжении 3 или 6 В. Размеры модуля составляют 10,77 мм х 8,28 мм x 200 мкм. Время доступа к данным при 3 В для чтения информации - 650 нс, для записи - 325 нс, а при 6 В - 200 и 100 нс соответственно.
Модуль может быть применён в другой разработке Epson - 8-битном асинхронном процессоре ACT11. Также компания рассчитывает, что TFT-SRAM будет использоваться для создания миниатюрных и лёгких электронных устройств.