Каталог
ZV
ездный б-р, 19
+7 (495) 974-3333 +7 (495) 974-3333 Выбрать город: Москва
Подождите...
Получить токен
Соединиться
X
Сюда
Туда
x
Не выбрано товаров для сравнения
x
Корзина пуста
Итого: 
Оформить заказ
Сохранить заказ
Открыть корзину
Калькуляция
Очистить корзину
x
Главная
Магазины
Каталог
Мои заказы
Корзина
Магазины Доставка по РФ
Город
Область
Ваш город - ?
От выбранного города зависят цены, наличие товара и
способы доставки

Вторник, 22 ноября 2005 00:00

SiFPROM: возвращение старых добрых ППЗУ

короткая ссылка на новость:
    Канадская корпорация Sidense, созданная выходцами из Польши, в очередной раз подтвердила тезис о том, что «новое – это хорошо забытое старое», сообщив о разработке однократно программируемой энергонезависимой памяти, в основе которой лежит хорошо известный радиолюбителям с не таким уж большим стажем принцип пережигаемых перемычек. Однако, разработка Sidense, которая может быть интегрирована в системы-на-чипе, выполняемые по технологии КМОП (в отличие от, например, пластиковой памяти, которая так и не нашла воплощения в кремнии), обладает существенным преимуществом по сравнению с ППЗУ (программируемыми постоянным запоминающими устройствами) – она не требует повышенного напряжения питания для пережигания перемычек.
    Дизайн ячейки памяти, названный разработчиками 1T-Fuse, содержит один транзистор (что дает технологии еще два преимущества – малые размеры и высокую скорость работы) и одну программно пережигаемую перемычку. Помимо стандартного варианта с использованием однократного программирования, утверждается о возможности эмуляции режима многократной перезаписи – путем изменения адресов (разумеется, такая эмуляция не может продолжаться до бесконечности). Четвертое преимущество разработки Sidense – длительное время хранения данных, намного большее время хранения данных в ячейках флэш-памяти, в которых существуют вероятность самопроизвольного изменения состояния из-за туннельного эффекта («просачивания» электронов за потенциальный барьер). Сообщается, что технология 1T-Fuse прошла тестирование в 130-нм технологических процессах и может быть адаптирована к 90-нм и 65-нм нормам.
    В настоящее время доступен референс-дизайн ППЗУ SiFPROM емкостью 1 Кбайт. Такая память может найти применение в портативных съемных накопителях, устройствах хранения загрузочных данных, RFID, криптографии и системах защиты авторских прав (DRM).

Источник: ixbt.com

подписаться   |   обсудить в ВК   |