Intel: запуск второго завода для производства 300-мм подложек по 45-нм технологии

    Корпорация Intel приступает к строительству завода по производству 300-мм подложек в г. Кирьят-Гат (Израиль). Новый завод, получивший название Fab 28, должен упрочить позиции Intel, обеспечив возможность производства начиная со второй половины 2008г. процессоров с использованием 45-нм технологии. Fab 28 станет вторым заводом Intel, на котором будет внедрен 45-нм техпроцесс. Его стоимость составит 3,5 млрд. долларов.
    «Корпорация Intel намерена упрочить свои позиции лидера в производстве полупроводников, – сказал Пол Отеллини (Paul Otellini), президент корпорации Intel. – Наша производственная сеть является стратегическим активом уникальной величины и масштабов. Благодаря ей мы можем поставлять заказчикам самую современную продукцию в необходимом объеме. Объявление о начале строительства второго завода по серийному выпуску микросхем с использованием 45-нм технологии – новое свидетельство того, что платформы Intel еще долгие годы будут создаваться на базе самых передовых технологий».
    После ввода в эксплуатацию, Fab 28 станет седьмым заводом Intel, производящим 300-мм подложки. Его площадь составит ~18 тыс. м². Благодаря этому проекту в течение следующих семи лет в Intel будет создано более 2000 рабочих мест. Правительство Израиля обеспечивает финансовую поддержку строительства нового завода.
    Сейчас 300-мм подложки выпускают пять заводов Intel. Они обладают примерно такой же производственной мощностью, как восемь заводов Intel предыдущего поколения, производящих 200-мм подложки. Эти пять заводов расположены в штатах Орегон, Аризона и Нью-Мексико, а также в Ирландии, где в первом квартале следующего года будет введен в строй дополнительный модуль по производству 300-мм подложек (Fab 24-2). В июле корпорация Intel объявила о намерении инвестировать более 3 млрд. долларов в строительство еще одного завода по производству 300-мм подложек – Fab 32 в Чэндлере (штат Аризона).
    Производство 300-мм подложек позволяет значительно снизить себестоимость изготовления полупроводниковых микросхем по сравнению со стандартными 200-миллиметровыми. При использовании 300-мм подложек требуется на 40% меньше электроэнергии и воды в расчете на одну микросхему, чем при производстве 200-мм подложек. Производственная технология Intel с проектной нормой 45 нм, которая впервые будет применена в массовом производстве на Fab 32, позволит разместить то же количество микросхем на примерно вдвое меньшей площади по сравнению с 90-нм технологией.
    С 2000 года, корпорация Intel инвестировала более 40 млрд. долларов в производство, научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы.